高速高饱和单行载流子光探测器的设计与分析

摘要：

设计了一种InP基的背入射台面结构的单行载流子光探测器.通过在吸收层中采取高斯型掺杂界面及引入合适厚度和掺杂浓度的崖层,使得光探测器同时具备了高速和高饱和电流特性．理论分析表明,在光敏面为14μm2、反向偏压为2 V条件下,该器件的3 dB带宽可达58 GHz,直流饱和电流高达158 mA.在大功率光注入条件下,详细分析了光探测器带宽降低和电流饱和现象,得出能带偏移和电场坍塌是其根本原因的结论.

关键词：单行载流子光探测器、单行载流子、高速、饱和电流

分类号：TU5;TQ6

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB327600;国家自然科学基金61020106007,61274044;北京市自然科学基金4132069;教育部长江学者和创新团队发展计划批准号:IRT0609资助的课题.* Project supported by the National Basic Research Program of ChinaGrant 2010CB327600;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61020106007,61274044;the Natural Science Foundation of Beijing, ChinaGrant 4132069;the Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University of Ministry of Education of ChinaGrant IRT0609

在线出版日期：2014-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：208502-1-208502-6