电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响

摘要：

SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造SiC半超结VDMOSFET 的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET 击穿电压的影响，在电荷失配程度为30%时出现半超结VDMOSFET的最大击穿电压.在本文的器件参数下， P柱浓度偏差导致击穿电压降低15%时，半超结VDMOSFET柱区浓度偏差范围相对于超结VDMOSFET可提高69.5%，这意味着半超结VDMOSFET对柱区离子注入的控制要求更低，工艺制造难度更低.

关键词：SiC、半超结、电荷失配

分类号：TN3;TM9

资助基金：国家自然科学基金61274079,61176070;陕西省自然科学基金2013JQ8012;高等学校博士学科点专项科研基金20130203120017,20110203110010;教育部重大专项批准号:625010101资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61274079,61176070;the Natural Science Foundation of Shananxi, ChinaGrant 2013JQ8012;the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of ChinaGrant .20130203120017,20110203110010;the Key Specific Projects of Ministry of Education of ChinaGrant 625010101

在线出版日期：2014-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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