Si（110）和Si（111）衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管

摘要：

分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件。利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构进行了结构表征。结果表明，相对于Si(111)上生长LED样品， Si(110)上生长的LED结构晶体质量较好，样品中存在较小的张应力，具有较高的内量子效率。对制备的LED芯片进行光电特性分析测试表明，两种衬底上制备的LED芯片等效串联电阻相差不大，在大电流注入下内量子效率下降较小；但是，相比于Si(111)上制备LED芯片， Si(110)上LED芯片具有较小的开启电压和更优异的发光特性。对LED器件电致发光(EL)发光峰随驱动电流的变化研究发现，由于Si(110)衬底上LED结构中阱层和垒层存在较小的应力/应变而在器件中产生较弱的量子限制斯塔克效应，致使Si(110)上LED芯片EL发光峰随驱动电流的蓝移量更小。

关键词：硅衬底、InGaN/GaN多量子阱、发光二极管

分类号：TN3;TN2

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金21203098,2013g130;南京信息工程大学校科研启动基金批准号:2013x023资助的课题.* Project supported by the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .21203098,2013g130;the Scientific Research Staring Foundation of Nanjing University of Information Science and Technology, ChinaGrant 2013x023

在线出版日期：2014-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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