SiC过渡层制备温度对碳化硅/氟化类金刚石复合薄膜血液相容性的影响

摘要：

以316L不锈钢为基底， SiC晶体为靶材， Ar为源气体，采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层。然后以高纯石墨作靶， Ar和CHF3为源气体，在同一工艺条件下再续镀一层氟化类金刚石(F-DLC)薄膜，形成SiC/F-DLC复合薄膜。研究表明，相比于F-DLC薄膜，复合薄膜的附着力显著增加，血液相容性明显改善。通过样品的拉曼和红外光谱分析了不同温度下制备的SiC过渡层以及复合薄膜结构的演变。结果表明，控制SiC过渡层制备温度可以有效调制过渡层中C=C键的比例以及-C-C-不饱和键的密度，复合薄膜中保留较高比例的芳香环式结构以及合适的F/C比是薄膜的血液相容性得以进一步改善的原因， SiC过渡层制备温度控制在500?C左右效果尤为明显。 SiC 薄膜和F-DLC两种薄膜的界面处形成一定比例的Si-C键和C=C键是导致复合薄膜附着力显著上升的直接原因。适当条件下在316L不锈钢和F-DLC薄膜之间增加SiC过渡层对于增强薄膜的附着力、改善其血液相容性是可行、有效的。

关键词：磁控溅射、血液相容性、附着力、SiC/F-DLC复合薄膜

分类号：52.80.Pi,52.80.Vp,81.05.Uw,81.15.Cd

资助基金：the National Natural Science Foundation of China Grant 11275136

在线出版日期：2014-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：185204-1-185204-9