直接键合的三结太阳能电池研究

摘要：

本文研制了直接键合的三结GaInP/GaAs/InGaAsP太阳电池.直接键合技术可以减少晶格不匹配的材料在外延生长过程中产生的线位错和面缺陷,将缺陷限制在界面几十纳米的薄层而不向内扩散,是未来实现高效多结电池的发展趋势之一.此类电池国内鲜有报道.本文键合三结电池的键合界面采用p+GaAs/n+InP结构,得到电池开路电压3.0 V,在电池结构没有优化的情况下获得效率24%,表面未做减反膜.开路电压表明三结电池实现了串联,为单片集成的高效多结电池提供了新的途径.对实验结果进行了分析并给出了改进措施.

关键词：键合、多结太阳电池、晶格失配

分类号：TN3;TM9

资助基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目09JA041001资助的课题

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：178801-1-178801-7