隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

摘要：

随着器件尺寸的不断减小，集成度的逐步提高，功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一。由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率，隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一。但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量，使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤。此外， TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战。本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理。在此基础之上，给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件，通过在源端增加N型高掺杂区，有效的调节接触势垒形状，降低隧穿结的宽度，从而获得更好的ESD设计窗口。

关键词：隧道场效应晶体管(TFET)、静电放电(ESD)、传输线脉冲(TLP)、带带隧穿机理

分类号：TM7;TN3

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金61106101资助的课题

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：178501-1-178501-8