Mg掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的结构及电传输特性

摘要：

本文采用Sn自熔剂法,制备Mg掺杂Sn基单晶笼合物Ba8Ga16-X MgX Sn30(06 X 61.5),并对其结构及电传输性能进行研究.结果表明所制备化合物为具有空间群Iˉ43m的VIII型单晶笼合物,随Mg掺杂量的增加,对应化合物的熔点略有升高,晶格常数减小,掺杂样品中填充原子Ba的实际含量低于理想值8.0,其在十二面体空洞中的占有率约为0.93(Mg的名义含量X =1.5时).所有样品均表现为n型传导, Mg的掺入对材料的能带结构有一定影响, Mg掺杂后,样品的载流子浓度降低, Seebeck系数的绝对值、电阻率增加, Mg的名义含量X =1.5时,样品的功率因子在430 K附近取得最大值1.26×10-3 W·m-1·K-2.

关键词：VIII型笼合物、n型传导、单晶

分类号：TQ3;TG1

资助基金：国家自然科学基金研究项目51262032资助的课题

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：177401-1-177401-6