Au-Si60-Au分子结电子输运性质的理论计算

摘要：

运用密度泛函理论对Si60团簇的结构进行几何优化,得到基态结构是一个直径为1.131 nm,平均键长为0.239 nm,分子最低未占据轨道与最高占据轨道能量差即能隙值为0.72 eV,具有C1点群的空心笼状结构.然后把它与两半无限的Au(100)-4×4电极相连构成Au-Si60-Au三明治结构分子结点,运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法对其电子输运性质进行了第一性原理计算.当两电极的距离为1.74 nm时,分子结点的平衡电导为1.93G0(G0=2e2/h),然后在-2.0-2.0 V的电压范围内,计算了不同电压下的电导与电流,得到其I-V 曲线成近线性关系,从分子前线轨道与透射谱分析了Si60分子的电子输运特性,讨论了电荷转移量与电导之间的关系.

关键词：电子输运、密度泛函理论、非平衡格林函数、Au-Si60-Au分子结

分类号：TB3;O56

资助基金：国家自然科学基金11174214,11204192;四川省教育厅科研基金13ZB0207;宜宾学院重点科研基金2013YY05资助的课题

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：177304-1-177304-6