化学气相沉积中影蔽效应对硅薄膜表面形貌和微结构的影响
采用斜入射热丝化学气相沉积技术(OAD-HWCVD),研究了气流入射角度(θ)对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜表面和微结构的影响。实验发现,薄膜厚度为1μm时,均方根粗糙度与tanθ成指数关系;在入射角度为75?时,薄膜表面由自仿射表面转变为mound表面。采用拉曼谱和红外谱表征了硅薄膜的微结构随气流入射角度的变化。在薄膜转变为mound表面生长之前,随入射角度的增加,准局域的影蔽效应使得薄膜中微空洞的数目及尺寸增加,导致薄膜微结构因子升高、致密度下降、薄膜质量变差。在薄膜转变为mound表面生长之后,非局域的影蔽效应导致大尺度的空洞,同时薄膜中以Si-Hn(n>2)形式存在的氢增多。本文以非晶硅薄膜为例,结合标度理论,分析了薄膜生长过程中的表面形貌和微结构与影蔽效应的关系。
影蔽效应、mound表面、微空洞、表面形貌生长
O48;O4
国家重点基础研究发展计划2006CB202601,2011CBA00705;北京市科技计划D121100001812003资助的课题
2014-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
177303-1-177303-7