化学气相沉积中影蔽效应对硅薄膜表面形貌和微结构的影响

摘要：

采用斜入射热丝化学气相沉积技术(OAD-HWCVD)，研究了气流入射角度(θ)对氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜表面和微结构的影响。实验发现，薄膜厚度为1μm时，均方根粗糙度与tanθ成指数关系；在入射角度为75?时，薄膜表面由自仿射表面转变为mound表面。采用拉曼谱和红外谱表征了硅薄膜的微结构随气流入射角度的变化。在薄膜转变为mound表面生长之前，随入射角度的增加，准局域的影蔽效应使得薄膜中微空洞的数目及尺寸增加，导致薄膜微结构因子升高、致密度下降、薄膜质量变差。在薄膜转变为mound表面生长之后，非局域的影蔽效应导致大尺度的空洞，同时薄膜中以Si-Hn(n>2)形式存在的氢增多。本文以非晶硅薄膜为例，结合标度理论，分析了薄膜生长过程中的表面形貌和微结构与影蔽效应的关系。

关键词：影蔽效应、mound表面、微空洞、表面形貌生长

分类号：O48;O4

资助基金：国家重点基础研究发展计划2006CB202601,2011CBA00705;北京市科技计划D121100001812003资助的课题

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：177303-1-177303-7