SnO2/p+-Si异质结器件的电致发光：利用TiO2盖层提高发光强度

摘要：

通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800?C热处理形成SnO2/p+-Si异质结。基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光。进一步地，通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层，使器件的电致发光获得显著增强。这是由于TiO2盖层的引入，一方面使SnO2薄膜更加致密，减少了非辐射复合中心；另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高。

关键词：SnO2/p+-Si异质结、TiO2盖层、电致发光

分类号：TN3;TN2

资助基金：国家自然科学基金51372219和61176042;国家重点基础研究发展计划973计划2013CB632102;浙江省自然科学基金R4090055;浙江省创新团队项目2009R50005资助的课题

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：177302-1-177302-5