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10.7498/aps.63.176201

考虑相界效应的Ni基单晶合金纳米压痕模拟

引用
利用分子动力学方法分别模拟金刚石压头压入Ni模型和Ni基单晶合金γ/γ′模型的纳米压痕过程,通过计算得到两种模型[001]晶向的弹性模量及硬度.采用中心对称参数分析不同压入深度时两种模型内部位错形核、长大过程以及Ni基单晶合金γ/γ′(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响.结果显示:压入深度0.641 nm之前,两种模型的压入载荷-压入深度曲线相似,说明此时相界面处的错配位错对纳米压痕过程的影响很小;压入深度0.995 nm时,在错配位错处发生位错形核,晶体在γ相中沿着{111}面滑移,随即导致Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷的下降,并在压入深度达到1.487 nm之前低于Ni模型相同压入深度时的压入载荷;压入深度从1.307 nm开始,由于相界面错配位错的阻碍作用, Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷上升速度较快.

纳米压痕、分子动力学、错配位错

O4 ;TD3

国家自然科学基金国际地区合作交流项目51210008资助的课题

2014-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

176201-1-176201-7

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

2014,(17)

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