铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究

摘要：

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的。用200-500 keV能量的铒(Er)离子注入SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上的硅)样品中,利用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了剂量为2×1015 cm-2的Er离子注入SOI的平均投影射程Rp和射程离散?Rp,把测出的实验值和SRIM软件得到的理论计算值进行了比较,发现平均投影射程Rp的实验值跟理论计算值符合较好,射程离散?Rp的实验值和理论计算值差别大一些。

关键词：离子注入、绝缘体上Si、投影射程和射程离散、卢瑟福背散射技术

分类号：O48;TN3

资助基金：国家自然科学基金11205096;山东省自然科学基金ZR2011AM011, ZR2013AM014;山东建筑大学博士基金XNBS1341;济南市科技发展项目201202092, OUT_02440资助的课题

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：176101-1-176101-5