SiOx（x=1.3）薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究

摘要：

采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx (x =1.3)薄膜，研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现，在电极尺寸相同的条件下，随着退火温度的增加，该结构的高低阻态比显著提高，最高可达109. X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明，不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明，经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因.

关键词：SiOx薄膜、阻变特性、硅悬挂键、热处理

分类号：O48;TP3

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB934402,2013CB632101;国家自然科学基金61071008,60976001;中央高等学校基本科研基金1095021030,1116021004,1114021005;高等学校博士学科点专项科研基金批准号20130091110024资助的课题.* Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of ChinaGrant .2010CB934402,2013CB632101;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61071008,60976001;the Fundamental Scientific Research Foundation for the Central Universities of ChinaGrant .1095021030,1116021004,1114021005;the Specialized Research Foundation for the Doctoral Program of Institution of Higher Education of ChinaGrant 20130091110024

在线出版日期：2014-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：167201-1-167201-8