Cu掺杂ZnO磁性能的实验与理论研究*
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10.7498/aps.63.157502

Cu掺杂ZnO磁性能的实验与理论研究*

引用
采用固相反应法制备了Cu掺杂ZnO样品.在室温下Cu含量>3%的样品在室温下表现为铁磁性.样品为n型半导体,载流子的浓度为1015cm-3.利用密度泛函理论(DFT+U )计算了CuZnO体系的Cu2+-O2--Cu2+, Cu2+-Vo-Cu2+, Cu2+-Vo+-Cu2+, Cu2+-Vo++-Cu2+磁交换耦合作用,给出了不同束缚电荷的氧空穴Vo与Cu2+离子之间的超交换机理,提出了CuZnO 体系中铁磁性机理为Cu2+-Vo++-Cu2+束缚磁极化子模型.

CuZnO、固相反应、铁磁性、束缚磁极化子

O4 ;O41

福建省教育厅A类科技项目JA12283;泉州市科技项目2012G11;泉州市优秀人才培养专项经费12A17;信息功能材料福建省高等学校重点实验室和校重点学科电子科学与技术、Oulu University Strategic Funding, The grant from Research Council for Natural Sciences and Engineering of the Academy of Finland 资助的课题

2014-08-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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157502-1-157502-9

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

2014,(15)

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