高速率沉积磁控溅射技术制备Ge点的退火生长研究*

摘要：

采用磁控溅射技术在Si衬底上以350?C沉积14 nm的非晶Ge薄膜，通过退火改变系统生长热能，实现了低维Ge/Si点的生长.利用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)光谱所获得的形貌和声子振动信息，对Ge点的形成机理和演变规律进行了研究.实验结果表明：在675?C退火30 min后，非晶Ge薄膜转变为密度高达8.5×109 cm-2的Ge点.通过Ostwald熟化理论、表面扩散模型和对激活能的计算，很好地解释了退火过程中， Ge原子在Si表面迁移、最终形成纳米点的行为.研究结果表明用高速沉积磁控溅射配合热退火制备Ge/Si纳米点的方法，可为自组织量子点生长实验提供一定的理论支撑.

关键词：锗纳米点、磁控溅射、原子迁移、激活能

分类号：TP3;TN9

资助基金：国家自然科学基金11274266;云南省应用基础研究计划重点项目2013FA029;云南省人才引进基金W8090304;云南大学校基金2011YB47资助的课题

在线出版日期：2014-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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