沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究

摘要：

提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性.结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中.对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度.沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变；侧墙宽度增加,频率性能降低.

关键词：SiGe异质结双极晶体管、沟槽型发射极、发射极电阻

分类号：TN3;TN9

资助基金：国家自然科学基金61204094;高等学校博士学科点专向科研基金20106118120003;陕西省工业攻关2014K08-30;陕西省教育厅科学研究计划11JK0924资助的课题

在线出版日期：2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：148503-1-148503-8