对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型

摘要：

提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构，为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型，并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响，讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致势垒降低效应的影响，对该结构器件与单材料双栅结构器件的性能进行了对比研究。结果表明，该结构能进一步提高载流子的输运速率，更好地抑制漏致势垒降低效应。适当优化三材料栅的栅长比率，可以增强器件对短沟道效应和漏致势垒降低效应的抑制能力。

关键词：应变硅、金属氧化物半导体场效应晶体管、表面势、阈值电压

分类号：TN3;TN4

资助基金：国家自然科学基金61376099,11235008;教育部博士点基金20130203130002,20110203110012资助的课题

在线出版日期：2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：148502-1-148502-6