Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究

摘要：

研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理。该器件具有forming-free的性质，还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的非极性阻变特性，并且具有较大的存储窗口值(>105)。存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变，符合导电细丝阻变机理的特征。采用X射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态时的阻变层HfO2薄膜的化学组分以及元素的化学态，结果表明， Ni/HfO2/Pt阻变存储器件处于低阻态时的导电细丝是由金属Ni导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的。

关键词：阻变存储、二氧化铪薄膜、导电细丝

分类号：TP3;TN3

资助基金：国家高技术研究发展计划2011AA010403资助的课题

在线出版日期：2014-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：147301-1-147301-7