Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了未掺杂与不同浓度的Tl 原子取代In原子的In1-xTlxI超胞模型,分别对模型进行了几何优化、能带分布、态密度分布和吸收光谱的计算。结果表明: Tl 掺杂浓度越小, In1-xTlxI形成能越低,晶体结构越稳定; Tl的掺入使得InI体系导带向高能方向移动,而价带顶位置基本没变,导致禁带宽度变宽, InI吸收光谱出现明显蓝移现象。
Tl掺杂InI、电子结构、吸收光谱、第一性原理
TN9;TN8
河北省应用基础研究计划重点基础研究项目13961103D;中国电子科技集团公司第四十六研究所创新基金CJ20120208;河北省高层次人才资助项目C2013003040;燕山大学青年教师自主研究计划13LGA011资助的课题
2014-08-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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