表面态调控对GaN荧光光谱的影响

摘要：

采用高阻本征GaN薄膜，通过H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控，研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响。研究发现， H3 PO4刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大，但显著增加可见荧光的强度；经SiOx Ny薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12-13倍，同时对可见荧光有明显增加。通过比较H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化的室温和低温荧光光谱，探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理。

关键词：GaN、表面态调控、荧光光谱

分类号：O65;TN3

在线出版日期：2014-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：137802-1-137802-5