高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响*

摘要：

为了实现低电阻率厚度为纳米级的红外探测器电极材料,通过离子注入的方法将高浓度的As掺入高阻单晶硅,并经过快速退火处理,获得了厚度～200 nm、电阻率为10-4?·cm的Si：As电极层.原子力显微镜测试结果表明,离子注入的样品表面依然较平整,表面均方根粗糙度仅为0.5 nm.使用聚焦离子束设备(FIB)制备高分辨透射电镜(HRTEM)样品,高浓度的As掺入虽然会损伤Si晶格、引入大量的缺陷,但是HRTEM观察表明合适的退火工艺能够使得完整晶格得到恢复,而且霍尔效应和扩展电阻的测量分析表明,用离子注入方法制备的Si：As层载流子浓度达到2.5×1020 cm-3、电子迁移率高于40 cm2/V·s,具有优异的电学性能,适合用作各种Si基光电器件的背电极.

关键词：硅电极材料、离子注入、低电阻率、微观结构

分类号：TN3;TB9

资助基金：国家自然科学基金批准号:61290305和11374259资助的课题.@@@@Project supported by the the National Natural Science Foundation of China Grant .61290305,11374259

在线出版日期：2014-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：136803-1-136803-7