GaAs纳米线及GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构的无催化选区生长的实验研究*

摘要：

利用无催化选区金属有机化学气相沉积(SA-MOCVD)法在GaAs(111)B衬底上分别制备了GaAs纳米线和GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构.系统地研究了生长条件对GaAs纳米线生长的影响.实验结果显示， GaAs纳米线的形貌和长度依赖于生长温度、AsH3的分压以及SiO2掩膜表面的圆孔直径.因此可以通过调节以上因素来得到高质量的GaAs纳米线.并且发现扩散是影响无催化选区生长GaAs纳米线的主要机理.微区光致发光谱(μ-PL)表明， GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构被成功合成，室温(300 K)下它的发光波长为913 nm.这些结果对于GaAs纳米线及其异质结构制备的进一步研究及其在光电子器件中的应用具有很好的参考价值.

关键词：GaAs纳米线、无催化选区生长、金属有机化学气相沉积法

分类号：TB3;O64

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2010CB327600;国家自然科学基金61020106007,61211120195,61077049和61376019;北京市自然科学基金4142038;高等学校博士学科点专项科研基金20120005110011;“111”基地计划批准号:B07005资助的课题.@@@@Project supported by the National Basic Research Program of ChinaGrant 2010CB327600;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61020106007,61211120195,61077049,61376019;the Natural Science Foundation of Beijing, ChinaGrant 4142038;the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education, ChinaGrant 20120005110011;the 111 Program of ChinaGrant B07005

在线出版日期：2014-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：136103-1-136103-7