溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管

摘要：

本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.

关键词：薄膜晶体管、锆铝氧化物、迁移率

分类号：S15;S1

资助基金：国家自然科学基金61006005;上海科学技术委员会项目批准号:13520500200资助的课题.@@@@Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61006005;the Shanghai Science and Technology Commission, ChinaGrant 13520500200

在线出版日期：2014-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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