应变加载下Si纳米线电输运性能的原位电子显微学研究

摘要：

半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围，被认为是应变工程理想的研究材料，引起了人们广泛的关注。本研究中，利用聚焦离子束技术从p型Si的单晶薄膜上切割出?100?取向的单根纳米线，在透射电子显微镜中利用纳米操控系统对其加载弯曲形变，同时实时监测其电流-电压曲线的变化，研究弯曲应变对其电学性能的影响。结果表明，随着应变的增大，纳米线输运性能明显增强，当应变接近2%时，输运性能随应变的提升接近饱和；当应变达到3%以后，输运性能有时会略微下降，这可能由塑形事件导致的。本实验结果可能会对Si应变工程起到重要的参考意义。

关键词：Si纳米线、应变、塑性形变、电输运性能

分类号：TD2;TB3

资助基金：国家自然科学基金11004004,11374029,11234011;全国优秀博士学位论文作者专项资金201214;北京市科技新星项目批准号:Z121103002512017资助的课题.@@@@Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .11004004,11374029,11234011;the Foundation for the Author of National Excellent Doctoral Dissertation of ChinaGrant 201214;the Beijing Nova Program, ChinaGrant Z121103002512017

在线出版日期：2014-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：117303-1-117303-7