单层MoS2分子掺杂的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂。计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力。吸附不同有机分子的单层MoS2结构均表现出间接带隙的特征,还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ, TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控。本文的研究结果将对单层MoS2在晶体管中的应用提供理论基础和指导。

关键词：MoS2、密度泛函理论、有机分子吸附、分子掺杂

分类号：O6 ;TN3

资助基金：国家自然科学基金61006051,61177050;浙江省大学生科技创新活动计划2013R409016;浙江省科技厅公益技术应用研究批准号:2013C31068资助的课题.@@@@Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61006051,61177050;the College students in Zhejiang Province Science and Technology Innovation Activities Plan, ChinaGrant 2013R409016;the Science and Technology Department of Zhejiang Province Public Interest Research Technology, ChinaGrant 2013C31068

在线出版日期：2014-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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