CuHg2Ti型Ti2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究?
利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2 Ti结构下Ti2 CrK (K =Sb, Ge, Sn, Sb, Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性。研究发现： Ti2 CrK (K =Si, Ge)合金是普通半导体材料； Ti2 CrK (K =Si, Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb 和Bi 原子s 态的直接影响； Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体。基于Ti2 CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料；通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料。 Ti2Cr1?xFexSn 和Ti2Cr1?xMnxSn合金都具有亚铁磁性。所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal 与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt?18规则。
Heusler合金、半金属材料、自旋无能隙材料
TG1;TM2
国家自然科学基金51271071,11074160;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-10-0126;河北省应用基础研究计划重点基础研究项目12965136D;河北省自然科学基金E2013202181;河北省高等学校科学技术研究青年基金批准号:Q2012008资助的课题.@@@@ Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .51271071,11074160;the Program for New Century Excellent Talents in University of Ministry of Education of ChinaGrant NCET-10-0126;the Key Basic Research Program of Applied Basic Research Program of Hebei Province, ChinaGrant 12965136D;the Natural Science Foundation of Hebei Province, ChinaGrant E2013202181;the Science and Technology Research Foundation for Young Scholars of Higher Education of Hebei Province, ChinaGrant Q2012008
2014-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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