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10.7498/aps.63.107102

氟化硼碳平面的第一性原理研究

引用
基于第一性原理的理论计算,研究了不同氟化程度的BC3, BC5, BC7的稳定结构和电子特征,发现通过B原子替代C原子,F原子与平面结构的结合能力更强了,氟化的硼碳结构比氢化的硼碳结构更加稳定。研究发现:当只有C原子与F原子成键时,体系变成半导体,而当B原子与F原子成键时,即所有原子都与F原子成键,体系变成导体。通过不同程度的氟化, BC3发生半导体-金属的转变, BC5和BC7发生金属-半导体-金属的转变。理论分析表明, B原子的pz 轨道对电学性质变化有较大影响。由于其丰富的电学特性,此类氟化硼碳平面在纳米电子器件领域中具有潜在应用,并且该结果对实验合成也有一定的指导意义。

第一性原理、硼碳平面、电子性质

O4 ;TQ1

教育部新世纪优秀人才支持计划批准号:NCET-09-0867资助的课题. Project supported by the Program for the New Century Excellent Talents in University of Ministry of Education, China Grant NCET-09-0867

2014-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

107102-1-107102-7

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

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