InGaAs单光子探测器传感检测与淬灭方式?

摘要：

针对InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)的光电感应特性,研究了基于门控主动式淬灭的SPAD动态偏置控制和电路实现的策略.采用门控主动淬灭控制可降低淬灭时间,有效抑制暗计数和后脉冲效应.接口感应检测电路采用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行制造,而SPAD则采用非标准CMOS工艺.利用铟柱互连混合封装工艺实现SPAD与感应接口电路的协同工作.在低温?30?C的条件下,实现了SPAD光触发雪崩电流信号的提取和快速淬灭.研究了感应电阻和临界检测电压对传感检测电性能的影响,并采用简单电路结构实现状态检测,实测得到的SPAD恢复时间、传输延时分别为575,563 ps,淬灭时间为1.88 ns,满足纳秒级精度传感检测应用的需要.

关键词：单光子雪崩二极管、盖革模式、门控、主动淬灭

分类号：TN2;TP2

资助基金：江苏省自然科学基金批准号:BK2012559资助的课题.@@@@ Project supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province, China Grant BK2012559

在线出版日期：2014-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：104216-1-104216-9