特殊构型Si2N2分子团簇电致激发特性的密度泛函理论研究?

摘要：

以在可见光区有吸收峰的Cs构型的Si2N2分子团簇为研究对象，利用密度泛函B3LYP方法，在aug-cc-pVTZ基组水平下优化得到了处于不同外电场中的Si2 N2分子团簇的稳定结构。分析发现：在不同的外电场中， Si2N2分子构型对称性没有发生改变，均为Cs对称性，且都有6种振动模式；随着外电场强度的逐渐增大， Si2 N2分子振动频率较低的前三种振动模式的频率略有减小，而后三种振动模式的频率逐渐增加；随着外电场强度的逐渐增大，在一定电场范围内最高占据分子轨道与最低空分子轨道的能隙值出现振荡，之后能隙值随着外电场强度的增大而减小。在此基础上，采用含时密度泛函TD-B3LYP方法研究了外电场对Si2 N2分子吸收谱的影响规律。计算得到的吸收谱范围在紫外-可见光区，这与实验值相符合。随着外电场强度的逐渐增大，在可见光区吸收谱发生红移，最大跃迁振子强度逐渐增大。结果表明，施加外电场有利于Si2 N2分子在可见光区的吸收，也有利于操控分子特定激发态的电子状态，进而调节相应的跃迁光谱特性，可达到获得所需特定波长的要求。

关键词：Si2N2、外电场、激发特性

分类号：O56;O4

资助基金：国家自然科学基金11274095;河南省基础与前沿技术研究计划122300410109;河南省教育厅基础研究计划13A140550;河南师范大学国家级科研项目培育基金2010PL02;河南省高等学校科技创新团队支持计划批准号:13IRTSTHN016资助的课题.@@@@ Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11274095;the Basic and Advanced Technology Research Program of Henan Province, ChinaGrant 122300410109;the Basic Research Program of Education Bureau of Henan Province, ChinaGrant 13A140550;the Cultivating Foundation for National Level Program of Henan Normal University, ChinaGrant 2010PL02;the Science and Technology Innovation Team Support Program of Institution of Higher Education of Henan Province, ChinaGrant 13IRTSTHN016

在线出版日期：2014-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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