ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

摘要：

本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性.薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12μC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17μC/Gy.器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度.本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.

关键词：ZnO薄膜、ZnO纳米线、X射线探测、氧吸附

分类号：TN4;R31

资助基金：国家自然科学基金60876038,11375144;“ZnO半导体纳米结构核辐射探测机理研究”,西安交通大学基本科研业务费学科综合交叉科研项目资助的课题

在线出版日期：2014-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：098502-1-098502-6