一个通用的记忆器件模拟器
本文根据惠普忆阻器模型提出了一个新的接地忆阻器模拟等效电路。并以此为基础,采用常规的电子元件构建了一个通用的记忆器件模拟器。该模拟器能在电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入元件的性质能将接地忆阻器分别转化为浮地忆阻器、浮地忆感器和浮地忆容器。由于该模拟器是浮地的,因而可以方便的与其他电子器件实现灵活的连接形式。 Pspice仿真实验验证了模拟器的真确性和有效性。
记忆器件、收缩迟滞曲线、浮地、模拟器
TM1;TN4
国家自然科学基金61176032资助的课题
2014-05-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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