温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响

摘要：

相同测试条件下，纳米钛氧化物忆阻器的导电过程存在不稳定性，制约了对器件瞬态阻抗的精确读取与控制，并影响了器件应用于电路设计的可靠性与稳定性。杂质漂移与隧道势垒的共存是导致上述不稳定性的可能因素，且杂质漂移特性与环境温度密切相关。然而，目前尚无通过控制温度提高忆阻器导电稳定性的具体研究。基于杂质漂移与隧道势垒共存，本文分析了温度与忆阻器导电特性的关联，研究了器件活跃区域厚度及初始掺杂层厚度的改变对临界温度的影响，利用SPICE软件进行了仿真验证并给出结果，得出提高忆阻器导电稳定性的方法有：增大活跃区域厚度、降低初始杂质浓度及保持环境温度稳定且低于临界温度，从而为制备性能稳定的忆阻器及推动器件在实际电路中的应用提供依据。

关键词：忆阻器、温度、杂质漂移、隧道势垒

分类号：TG1;TB3

资助基金：国家自然科学基金61171017, F010505资助的课题

在线出版日期：2014-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：90581-90588