碳纳米管光混频器产生太赫兹功率的理论分析
以光混频器电路模型为基础,理论分析了碳纳米管(CNT)材料光混频器产生太赫兹功率的大小。通过对光混频器电导、天线的阻抗和外加偏置电压的模拟结果表明:提高光混频器电导、天线阻抗和外加偏置电压都能够提高输出太赫兹波功率,在小信号输入条件下,输出功率理论上能够达到数十微瓦。
碳纳米管(CNT)、光混频器、太赫兹功率
TM1;TM9
国家自然科学基金批准号:61007060,61177057资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant .61007060,61177057
2014-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
077202-1-077201-5