电极间距对μc-Si1-xGex：H薄膜结构特性的影响

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-xGex：H)薄膜。研究了电极间距对μc-Si1-xGex：H薄膜结构特性的影响。发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加。当电极间距降至7 mm时，μc-Si1-xGex：H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向，同时具有较低的微结构因子。通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态，认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的。在较窄的电极间距(7 mm)下，等离子体中GeH3基团的比例较大，增强了Ge前驱物的扩散能力，使μc-Si1-xGex：H薄膜的质量得到提高。

关键词：微晶硅锗、电极间距、滞留时间、射频等离子体增强化学气相沉积

分类号：O64;TM9

资助基金：国家重点基础研究发展计划2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707;国家自然科学基金61377031;天津市应用基础及前沿技术研究计划12JCQNJC01000;东北电力大学博士科研启动基金批准号:BSJXM-201304资助的课题.* Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of ChinaGrant .2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61377031;nd the Natural Science Foundation of Tianjin, ChinaGrant 12JCQNJC01000;the Dctoral Scientific Research Foundation of Northeast Dianli UniversityGrant BSJXM-201304

在线出版日期：2014-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：076801-1-076801-6