生物分子膜门电极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究
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生物分子膜门电极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究

引用
设计并制作了结构尺寸为毫米量级的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器,采用数值分析的方法分析了器件传感区域长度与宽度比值及待测物调控二维电子气(2DEG)距离与感测信号之间的关系,给出了结构尺寸为毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器的设计依据,以不同浓度的前列腺特异性抗原(PSA)为待测物,对制作的AlGaN/GaN HEMT生物传感器进行了初步测量,测试结果表明,在50 mV的电压下,毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器的对PSA的探测极限低于0.1 pg/ml.实验表明毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器具有灵敏度高,易于集成等优点,具备良好的应用前景.

二维电子气、高电子迁移率晶体管、生物传感器、前列腺特异性抗原

R31;O48

国家自然科学基金青年科学基金61104226;国家重大科学研究计划项目2010CB934700资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61104226;the National Basic Research Program of ChinaGrant 2010CB934700

2014-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

070204-1-070204-6

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