Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性
采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VII型Ba8Ga16-xGexSn30(06 x 61.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小, Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT 值1.25.
VIII型笼合物、n型传导、热电性能
TQ3;TH7
国家自然科学基金批准号:51262032资助的课题.@@@@Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 51262032
2013-12-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
247401-1-247401-6