1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计

摘要：

使用In, N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一。为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态。结果表明：GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求；在固定1 eV的吸收带边时, GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿,将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区。

关键词：GaInAs/GaNAs超晶格、Kronig-Penney模型、太阳能电池

分类号：O64;TN3

资助基金：国家自然科学基金61274134;苏州市国际合作项目批准号:SH201215资助的课题.@@@@Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61274134;the International Cooperation Program of Suzhou, ChinaGrant SH201215

在线出版日期：2013-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：499-503