荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究

摘要：

忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件。根据?-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型，以三次非线性荷控忆阻器模型为例，对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析。结果表明：荷控忆阻器的伏安关系具有斜体“8”字形紧磁滞回线特性，随其参数符号的不同，荷控忆阻器呈现出无源性和有源性，导致其电路特性发生相应的变化；相比无源荷控忆阻器，有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用。制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路，实验测量结果很好地验证了理论分析结果。

关键词：荷控忆阻器、等效电路、伏安关系、电路特性

分类号：TM1;TN4

资助基金：国家自然科学基金51277017;江苏省自然科学基金批准号:BK2012583资助的课题.@@@@Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 51277017;the Natural Science Foundations of Jiangsu Province, ChinaGrant BK2012583

在线出版日期：2013-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：396-403