内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Alx Ga1-x As二维电子气特性分析

摘要：

采用分子束外延技术对δ掺杂GaAs/Alx Ga1?x As二维电子气(2DEG)样品进行了生长。在样品生长过程中,分别改变掺杂浓度(Nd)、空间隔离层厚度(Wd)和AlxGa1?xAs中Al组分(xAl)的大小,并在双温(300 K,78 K)条件下对生长的样品进行了霍尔测量；结合测试结果,分别对Nd , Wd 及xAl 与GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG的载流子浓度和迁移率之间的关系规律进行了细致的分析讨论。生长了包含有低密度InAs量子点层的δ掺杂GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG样品,采用梯度生长法得到了不同密度的InAs量子点。霍尔测量结果表明,随着InAs量子点密度的增加, GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG的迁移率大幅度减小,实验中获得了密度最低为16×108/cm2的InAs量子点样品。实验结果为内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Alx Ga1?x As 2DEG的研究和应用提供了依据和参考。

关键词：二维电子气、InAs量子点、载流子浓度、迁移率

分类号：TN3;TN2

资助基金：国家自然科学基金61274125;北京市自然科学基金批准号:11DB1262资助的课题.*Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61274125;the Natural Science Foundation of Beijing, ChinaGrant 11DB1262

在线出版日期：2013-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：432-437