不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究*

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析。结果表明：基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响。在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜，其场发射性能得到显著提升，其场发射电流可以数量级增大。场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应。本研究结果表明，要获得优异性能场发射薄膜，合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑。

关键词：基底、GaN、纳米薄膜、场发射

分类号：TN3;TN8

资助基金：国家自然科学基金11274029,11074017,51202007,11274028;北京市科技新星计划2008B10;北京市科技计划重点项目D121100001812002;北京市青年拔尖人才培育计划CIT&TCD201204037;北京工业大学基础研究基金资助的课题

在线出版日期：2013-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：455-461