InAlN材料表面态性质研究*

摘要：

运用电流-电压(I-V ),变频电容-电压(C-V )和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置)。 I-V 和变频C-V 方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加。变频C-V 特性还表明,随着测试频率降低, C-V 曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射。 AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因。

关键词：不同In组分的InAlN材料、表面态、电流-电压特性、变频电容-电压特性

分类号：TN3;O4

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2012CB619303,2012CB619304;国家自然科学基金61225019,11023003,10990102;国家高技术研究发展计划863计划2011AA050514,2011AA03A103,2011AA03A111;教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目资助的课题

在线出版日期：2013-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：439-445