低能中子在锆中产生的辐照损伤的计算机模拟研究*

摘要：

　　以 GEANT4为基础采用蒙特卡罗方法对能量为1 MeV 的中子在锆材料中的输运过程进行了模拟分析.首先计算得出：反冲核的能量主要分布在1 keV 和15 keV 之间，中子和靶核发生两次弹性碰撞的平均空间距离为29.47 mm.由于中子和靶核在发生连续两次弹性碰撞过程中产生的两个反冲核能量较低，它们的空间距离又比较大，由此可以推测出：由初级离位原子产生的后续级联碰撞可以看做是一系列独立的子级联碰撞过程，同时也计算了中子在靶材的不同深度区域内产生的反冲核数目和平均能量.其次，利用蒙卡方法计算得到的结果，采用分子动力学方法，分别计算了五种不同能量下的初级离位原子产生的级联碰撞情况，给出了初级离位原子的能量与其产生的次级离位原子数目之间的关系以及不同能量下的初级离位原子产生的损伤区域范围等情况，通过蒙特卡罗方法和分子动力学方法的结合，给出了能量为1 MeV 的中子在锆材料中产生的初级辐照损伤分布图像.

关键词：辐照损伤、级联碰撞、蒙特卡洛模拟、分子动力学

分类号：O49;O4

资助基金：国家自然科学基金批准号:91126001,11175124资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant .91126001,11175124

在线出版日期：2013-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：156105-1-156105-7