薄膜硅的变隙问题及隙态分布*

摘要：

　　用电子束蒸发的方法制备可变光学带隙薄膜硅材料，给出了研究结果。介绍了一种做透过率曲线切线确定薄膜光学带隙的简易方法，给出了制备工艺和条件，以及各种材料的隙态分布图。实验发现，材料的光学带隙宽度不但与量子尺度效应有关，而且与缺陷形成的势垒高度和宽度以及有序短程(原子串)长度有关；给出了常规硅材料的光学带隙与原子串长度的关系。计算表明，随着原子串长度的加大，势阱中的电子液面升高，载流子受缺陷势垒的散射减弱；在原子串长度较低的情况下，电子液面不总是随着原子串长度升高，而是有较大的涨落，形成锯齿状波动。计算还发现，在势垒宽度与原子串长度之比不变的情况下，电子液面还与势垒高度有关。

关键词：薄膜硅、可变光学带隙、隙态分布、电子液面涨落

分类号：O4 ;TM9

资助基金：福建省高校服务海西建设重点项目批准号:A100资助的课题.*Project supported by the Importance Item of Fujian Province University Serving HaiXi, China Grant A100

在线出版日期：2013-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：389-397