金属离子掺杂的Lu2Si2O7的第一性原理研究*
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.7498/aps.62.147101

金属离子掺杂的Lu2Si2O7的第一性原理研究*

引用
  焦硅酸镥掺铈(LPS:Ce)具有突出的闪烁性能,比如高光产额和快衰减,但晶格中的氧空位会影响其闪烁性能。本文通过第一性原理方法研究了Li, Na, Mg和Ca在LPS中的稳定性和对氧空位的影响。结果表明:在缺氧环境下,这些离子倾向于占据间隙位,从而可能抑制氧空位。分析了杂质离子对LPS电子结构的影响。

第一性原理、焦硅酸镥、杂质缺陷

O61;TB3

国家自然科学基金批准号:10974143资助的课题.*Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 10974143

2013-08-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

377-380

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

2013,(14)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn