InSe的高压电输运性质研究*

摘要：

　　高压下对InSe样品进行原位电阻率和霍尔效应测量.电阻率测量结果显示，样品在5—6 GPa区间呈现金属特性，在12 GPa的压力下发生由斜六方体层状结构到立方岩盐矿的结构相变，且具有金属特性.霍尔效应测量结果显示，样品在6.6 GPa由p型半导体转变成n型半导体，电阻率随着压力的升高而逐渐下降是由于载流子浓度升高引起的.

关键词：InSe、高压、电阻率、霍尔效应

分类号：O48;TM2

资助基金：国家自然科学基金11074094,11164031,51272224;国家重点基础研究发展计划批准号:2011CB808204资助的课题.*Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .11074094,11164031,51272224;the National Basic Research Program of ChinaGrant 2011CB808204

在线出版日期：2013-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：97-101