Si4团簇电子输运性质的第一性原理计算*

摘要：

　　采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Si4团簇与Au(100)电极空位相连的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算，得到了纳米结点在不同距离下的几何结构、电子结构、电导、透射谱、电荷转移量；讨论了当距离dz=12.004?A时纳米结点的电导、电流随电压的变化关系.

关键词：密度泛函理论、非平衡格林函数、Si4团簇、电子输运

分类号：TQ0;O64

资助基金：国家自然科学基金11174214,11204192;四川省教育厅科研基金项目批准号:13ZB0207资助的课题.*Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .11174214,11204192;the Research Project of Education Department in Sichuan Province, ChinaGrant 13ZB0207

在线出版日期：2013-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：55-59