PECVD 分层结构对提高氢化非晶硅 TFT迁移率的影响

摘要：

　　为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si：H TFT)的场效应电子迁移率,研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层制备,不同的工艺参数对 a-Si：H TFT 场效应电子迁移率的影响.研究表明随着对欧姆接触层(n+层)分层数的增加,以及低速生长的栅极绝缘层(GL 层)和高速生长的栅极绝缘层(GH 层)厚度比值提高, a-Si：H TFT 的场效应迁移率得到提升.当 n+层分层数达到3层, GL 层和 GH 层厚度比值为4：11时,器件的场效应电子迁移率达到0.66 cm2/V·s,比传统工艺提高了约一倍,显著改善了 a-Si：H TFT 的电学特性,并在量产线上得到了验证.

关键词：非晶硅薄膜晶体管、电子迁移率、欧姆接触层、栅极绝缘层

分类号：TN3;O4

在线出版日期：2013-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：138501-1-138501-7