低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性*

摘要：

采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(<200?C)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10 cm?2·V?1·s?1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4 V/dec,阈值电压为3.6 V.栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象.白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响,表明制备的器件可用于透明显示器件.研究了器件的光照稳定性,光照10000 s后器件阈值电压负向偏移约0.8 V,这种漂移是由于界面电荷束缚所致.

关键词：非晶铟镓锌氧化合物、薄膜晶体管、光照稳定性、电滞现象

在线出版日期：2013-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：440-444