环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

摘要：

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

关键词：环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管、二维泊松方程、阈值电压模型、漏致势垒降低

在线出版日期：2013-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：434-439