H和Ar11激发Si的K壳层X射线发射研究

摘要：

测量了50—250 keV H+和1.0—3.0 MeV Ar11+轰击Si表面过程中辐射的X射线.结果表明,在Ar11+入射的情况下,引起了Si的L壳层上3,4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面,并将两体碰撞近似(BEA),平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合;而考虑多电离后, BEA理论与Ar11+的实验结果符合较好.

关键词：X射线、高电荷态重离子、多电离

分类号：32.30.Rj;34.80.Dp;79.20.Rf

在线出版日期：2013-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：083201-1-083201-6